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IRL1104S/LPbF
6000
5000
4000
V GS = 0V,   f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
Ciss
10
8
6
I D = 62 A
V DS = 32V
V DS = 20V
3000
4
2000
Coss
1000
Crss
2
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
100
0
0
SEE FIGURE 13
20         40         60
Q G , Total Gate Charge (nC)
80
1000
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
10000
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100
T J = 175 ° C
1000
10us
10
1
T J = 25 ° C
100
10
100us
1ms
10ms
0.1
0.2
0.8
1.4
V GS = 0 V
2.0
2.6
1
1
T C = 25 °C
T J = 175 °C
Single Pulse
10
100
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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